虽然消费级电子市场的库存压力有所减轻，但基于下游整机厂商面对后市依然谨慎的态度，半导体风向标存储行业依然处在阶段性承压过程中。

近日举行的2023年中闪存市场峰会（CFMS2023）期间，深圳市闪存市场资讯有限公司总经理邰炜分析，目前闪存市场价格几乎已经到很多原厂的成本价，尤其今年一季度后，并没有出现预期的爆发性经济增长。经过近一年的行情调整，加上需求逐步回升、库存压力逐步释放，预计今年二季度可能将是这一轮行情的最低点，存储行情很可能在三季度迎来新的变化或增长。

CFM闪存市场数据显示，2022年全球存储市场规模同比下降15%至1392亿美元，结束连续两年的增长，其中NAND Flash、DRAM较2021年均有不同程度下滑。

对于身处其中的头部厂商来说，更重要的是如何抗压、如何选择投入导向等问题。全球头部NAND Flash闪存原厂铠侠电子（中国）有限公司董事长兼总裁岡本成之对21世纪经济报道记者表示，从存储厂商角度看，中长期存储伴随容量增长、需求量增长，将呈现增长趋势。

“当然目前来看，的确行业存在下行表现，这是全球都面临的情况。我们看到客户的产能和投资在减少，所以需求在下降。”他进一步指出，铠侠很难做对宏观周期的判断，不过在存储行业内部的共识是，下半年市场将企稳甚至上行。

虽然消费电子一直是半导体消耗大户，但随着汽车电子、数据中心等需求旺盛涌现，存储行业也面临着新的发展机会。

恢复路途

当前阶段的存储行业承压更多表现在因供过于求而导致的价格和规模下行，但整体存储容量还在增长。

据闪存市场统计，从应用市场看，手机、PC、服务器依然是存储的三大主力应用市场。但手机和PC市场应用份额有所减少，服务器的份额持续扩大。预估2020-2025年全球数据量保持20+%的年复合增长率增长，2020-2025年eSSD出货量保持9%的年复合增长率。

这也令存储厂商对产能进行差异规划。“虽然消费级和企业级、数据中心相关市场从去年开始状况不太好，但铠侠相信市场中长期会继续发展，因此会持续在研发和量产设备等方面进行投入。”岡本成之对记者表示，当前的确相比来看需求有所下降、价格也在下行，因此目前会有针对性地减产措施，今后会根据市场需求情况，及时调整产能安排。

公司副总裁天野竜二补充道，“我们看到相比其他类目下行市场，消费市场的客户库存已经慢慢走向健康水位，因此相比之下，我们认为消费类市场可能会率先恢复。”

“但是车用电子存储产品方面，从客户方看还持续有强劲需求，所以相关存储产品在持续供应，不做减产动作。我们认为这在中国也将是重要、不断成长的市场，也会持续投入。”岡本成之续称。

他表示，车载存储市场一直是铠侠的重点之一，目前从铠侠产品的市场分布来看，日本和欧洲的销售和发展状况很好，在中国市场铠侠还有持续成长空间。因此会不断投入汽车电子市场发展。内部希望汽车存储相关产品在中国市场做到现在两倍的体量。

下行周期中，厂商在经营思路方面也有侧重。岡本成之介绍，在当前行情下，铠侠今年有两大发展重点：其一是改善业绩和盈利水平，其二是面向中长期的成长空间不停止对新技术的研发和产品投入。“目前存储颗粒厂商（原厂）的业绩普遍有压力，但铠侠没有缩减研发投入，反而在继续。否则2-3年后会出现更差的循环。”

不过他指出，真正什么时候完全恢复产能、甚至做出增产计划，则要基于市场变化做调整。“铠侠目前的规划，会主要在日本的四日市Y7、北上市K2两个工厂增加产能，今年新厂房陆续会建设完毕，也有足够的空间和设备支持今后增长。”

冲向新需求

历史上，手机毫无疑问是对存储需求最大的应用产业之一，但随着进入智能化发展时代，越来越多成长方向开始涌现。对于半导体厂商来说，如何面对更高可靠性、对存算同样提高要求的市场正成为新议题。

前述峰会期间，三星副总裁、NAND产品企划组总经理Kyungryun Kim(金经纶)在演讲中表示，三星预计三大新领域的增速将十分可观，包括元宇宙、自动驾驶和机器人，年化增长将分别为67%、31%和35%。不仅万物互联将在新领域中延续下去，互联设备还将产生海量的信息数据，由2022年的79ZB提升到2025年的181ZB，到2030年全球人均使用的智能设备高达10个。基于超连接应用的展望，三星正探索更智能、更高效的存储解决方案。

“在今明年内的短期时点，我们认为存储应用大户仍然是智能手机、PC和数据中心。当然还有汽车电子、电视等市场对存储容量会有增加需求。但目前业绩增长的重点、存储消耗大户还是智能手机、PC和数据中心。在相对较长期的市场中，医疗、个人娱乐等市场也会发展。”岡本成之则分析道。

更受关注的是由近期AIGC旺盛发展而引发的存储需求，因为在AI训练和计算过程中，往往需要同样匹配存储能力。

铠侠闪存颗粒技术统括部总经理大久保贵史向记者分析，目前还很难说ChatGPT对存储有什么特殊要求。“我们的理解是，伴随AI技术的不断更新普及，对存储的要求主要是高速和低延迟，同时机器学习对存储的容量和功能需求较大。”

举例来说，以只有文字样本的GPT3为例，其数据规模已经达到45TB，每天产生的数据内容可达45亿字，随着对话质量提升，会继续呈现几何级增长。如果将其引入图像识别、自动驾驶等场景中，数据增长量无疑会更为庞大。

“基于AI的最新要求，我们推出了XL-FLASH存储级内存产品，这是介于内存DRAM和固态硬盘SSD之间的非易失性存储，也在持续投入闪存研发，以满足不同技术的要求。即将到来的下一代基于MLC技术的XL-FLASH产品，将帮助企业进一步控制成本。”他续称。

从整体技术路线看，大久保贵史介绍道，铠侠认为，3D NAND Flash的层数增加趋势不会变化，目前看到技术可行的空间内可以增加到400-500层。随着层数增加，单位容量成本会下降。不过到堆叠500层以后，成本是否继续下降还有待进一步观察。“为了增加容量、降低成本，不仅要从层数角度，还要从占据芯片晶圆的平面面积、导电等多维度考量，综合来说，降低单位容量的成本，是我们目前在做的事情。”

前沿技术方面，三星则表示3D NAND的物理缩放技术、逻辑缩放技术和封装技术正在发生变化，预计未来十年单颗SSD容量可高达1PB。同时，三星还在研究通过更智能的QLC用法，推动QLC技术成为主流。