经历近一年大幅回调，近期存储市场企稳回升预期高涨。在日前CFMS闪存峰会上，大为股份(002213)旗下存储业务子公司大为创芯参展，公司首席技术官陈宗廷接受证券时报·e公司记者采访时预判， DRAM比NAND Flash有望率先迎来触底反弹，国内数据中心市场复苏有望快速走上复苏通道，车用存储也将迎来增长，公司已经规划相应产品布局。

（大为创芯 首席技术官陈宗廷  图片来源：CFMS）

“存储市场从去年开始步入低迷，供大于求，DRAM厂纷纷减产，预计2023年DRAM领域有望达到供需平衡，今年年底将有机会反弹。”陈宗廷介绍，相比DRAM，NAND Flash难度比较大，因为从2003年以来NAND Flash趋向供大于求，并且今年新制程推出导致Flash比较难达到供需平衡。整体来看，传统的通用型存储复苏比较困难，而定制化、利基型存储会比较容易反弹复苏。

细分市场中，内存条和SSD产品需求庞大，数据中心有望推动市场在2023年第四季度触底反弹；新能源汽车发展带动下，车用存储也将增长。

陈宗廷介绍，数据中心市场扭转下行趋势的关键在于今年服务器CPU的更迭将推动换机潮，叠加消费升级和人工智能需求，数据中心市场有望起量，因此，大为创芯为数据中心规划了DDR5内存条，产品有望陆续在2023年第四季度和2024年第一季度量产。

在新能源汽车领域，大为创芯会推出新能源汽车专用的DRAM(Low Power DDR/DDR)、eMMC等宽温级产品，布局汽车辅助驾驶360环视领域，目前已经有客户群。

从技术发展趋势来看，PC市场内存条已经从DDR4向DDR5迭代，网通产品也普及了DDR4，而嵌入式存储产品今年有望从DDR3升级到DDR4。一方面原因是DDR3减产导致供给不足，消费者对存储性能要求提升；另一方面，去年疫情影响了消费信心，运营商支出缩减，导致DDR4推广进程被延迟。

“大为创芯会将DDR3和DDR4作为今年推广重点。”陈宗廷表示，今年公司嵌入式存储的重点还是以网通为应用中心，配合大为股份智能终端事业板块的发展。

对于人工智能市场，陈宗廷表示无论是AI运算还是学习，都会涉及到大量存储需求，而大为创芯主打网络通讯类嵌入式存储产品，着力提升网络边缘计算，提升反应速率；时下热议的HBM（高带宽存储器）公司尚未涉及。

目前大为创芯来自消费类产品占比八成，其他类占两成，公司也在布局工业控制领域市场，规划主打DRAM、SSD以及eMMC三类宽温级产品线，预计2023年第四季度将推出相应产品。

“工业控制市场是高度定制化的，这就需要存储原厂以及自身团队不断调试。”陈宗廷表示，工控类市场门槛比较高，所以客户粘稠度会比较高，相应产品利润率也会更高。

大为创芯布局DRAM和NAND Flash市场，并以嵌入式产品为主打，与上下游供应链密切合作，着力提升国产存储器自主程度。陈宗廷介绍，近些年国产存储厂商进步比较迅速，公司规划未来三年可以向DRAM的IC主控芯片发展。

大为创芯是大为股份旗下重要子公司。大为股份经营电涡流缓速器和液力缓速器，通过参股大为弘德涉足新能源专用车领域，2021年大为股份对大为创芯完全控股，形成以存储器为核心的电子元器件行业整体化解决方案，大为股份半导体存储器业务当年营收达到3.4亿元，占总营收39.60%，同比去年增长约1.35倍。大为股份2022年度业绩预告显示，预计2022年大为股份盈利1450万元至1680万元，同比上年增长-6.33%至8.53%。

陈宗廷表示，大为股份与大为创芯业务协同性比较高，嵌入式产品在智能终端方面完全匹配，而新能源汽车存储器也将是大为创芯的重点。