在2019年9月19日由深圳市闪存市场有限公司主办的2019中国闪存市场峰会上，长鑫存储未来技术评估实验室副总裁平尔萱先生带来《DRAM的技术趋势与行业应用》的主题演讲，揭示DRAM技术发展现状与未来趋势。

平尔萱先生介绍到，我们现在所处的数据社会是在IC的支撑下建立起来的，其中冯诺依曼架构则是这些数据计算的基础。在冯诺依曼架构下，数据储存在存储器中，CPU获取存储器中的数据，并进行运算，然后将结果通过外围设备，比如显示器呈现出来。随着数据量的增加，处理数据的能力要加强，因此需要强大的CPU，同时存储器的容量、读取速度也加增加。那么这也意味着对DRAM提出更高的要求。

DRAM技术从60年代发明出来，70年代开始进入市场，五十年来持续演变。从早期简单的平面结构，变化为向三维空间争取表面积的沟槽式电容及堆叠式电容的架构。早期的IC，由于线宽比较大，因此有足够的平面面积用来制造出足够的电容量。随着线宽的减少，表面积逐渐减少，不能再制造所需的电容值，因此DRAM开始走向三维空间结构，争取更多的表面积，演变出向上和向下的发展技术路线，并且两者共存了接近三十年，而是最终以向上的堆叠式架构胜出。

而在DRAM技术的演进过程中，早期的DRAM巨头奇梦达在生产沟槽式架构DRAM的同时，在2008年开发了堆叠式架构DRAM。在这中间，所有堆叠式架构的优点都体现出来，比如说电容内外双面积的应用，平面最密集排布以及电容与晶体管错位式连接技术等，这些都被现代的DRAM产品所沿用。

对于DRAM的未来技术发展，平尔萱先生表示，DRAM是有极限的，若导入EUV及HKMG三极管等，可以缩小线宽以及加强外围电路性能，从而推迟极限的到来，这在未来几年将可以维持DRAM技术发展，满足大数据时代的需求。

在本次峰会CFMS2019上，长鑫存储获得“最佳产业突破奖”。作为中国DRAM产业的领导者之一，长鑫存储也不断在DRAM技术上进行投入，加速从DRAM技术追赶者向技术领导者转变。长鑫存储，坚持IDM，目前已建造完成第一座12英寸DRAM晶圆厂，未来将在新材料、新架构上进行更多探索，同时保持与相关企业的合作。期待长鑫存储在未来能够引领中国实现DRAM产业的不断突破。