在2019年9月19日由深圳市闪存市场有限公司主办的2019中国闪存市场峰会上，东芝技术执行官Shigenori Yanagi先生带来《迅速迭代的闪存技术，满足应用的不断创新》的主题演讲。

凭借四日市5座工厂和北上市的1座工厂，东芝可生产约40%的NAND Flash，是世界上最大的集成式Flash工厂。东芝技术执行官Shigenori Yanagi先生重点介绍了最新的3D NAND技术，目前在四日市的工厂量产64层和96层3D NAND，且将最新的技术导入到SSD中应用。

Flash与SSD市场，技术更迭

随着5G时代的发展，数据将呈现爆炸性增长，Flash需求GB当量预计将从2019年的150EB增长到2023年的518.7EB。不仅数据容量在扩大，而且对数据分析的需求也越来越大。例如，在未来可以只花两天时间就把所有储存在SSD当中数据进行分析，这是因为SSD的数据吞吐量非常高，能够满足这样快速分析需求。我们正面临从4G到5G通信时代的转型，以前的网络瓶颈将被消除，高容量高性能存储的需求将急剧增加，Flash将最适合于高速的5G时代。

东芝的技术领先优势

而这些在未来对于更高带宽、高性能、高容量的需求，对存储技术的发展也提出了更高的要求。东芝正在出货第四代 96层BiCS Flash，能够提供800MT/s的带宽。这种BiCS Flash可以支持SAS4.0和PCIe4.0，可以使SSD的带宽增加一倍。同时东芝也已经开始计划第五代到第七代BiCS Flash的研发和生产，BiCS5将具有更高的带宽1200 MT/s，而BiCS6将达到1600 MT/s，BiCS7将达到2000 MT/s。东芝存储器在2018年发布了业界首款96层3D NAND Flash SSD XG6，并且在2019年开始出货双通道PCIe4.0 SSD CM6。

此外，东芝还介绍到，适用于BiCS Flash的低延迟SLC设备的XL-Flash技术。XL-Flash闪存介于传统DRAM内存、NAND Flash闪存之间，拥有更高的速度、更低的延迟、更大的容量，而且成本相对较低。目前市场上已经有一些低延迟的SSD，但是由于有限的SSD资源，市场上没有可用的低延迟存储组件源，使得市场还比较小众。而东芝的这款XL-Flash是市场上全球第一款低延迟存储组件，目前正在出货样品中。

与此同时东芝也开始研究PLC（5-bit-per-cell, 32-level cell）NAND Flash，新的Flash提供了更高的密度，每个单元可以存储5位，而目前的QLC只能存储4位。

东芝获得CFMS2019 “最佳产业创新奖”

东芝存储器株式会社是NAND Flash技术领导者，自1987年研发NAND闪存产品，到推出最新的BiCS FLASH 3D闪存，大力推动了闪存的技术发展和产业创新。2017年成功研发了业内首个96层3D NAND，2018年新技术全面导入UFS、SSD等主流产品中应用，2019年更是推出了新型XL-Flash技术。期待未来即将改名“铠侠”之后的东芝将会带来更多的创新产品。