从穿孔纸卡、磁鼓、磁芯到DRAM，存储行业已经走过了一百多年的复杂演进历程。自1970年，英特尔的DRAM上市以来，已经过去49年。而DRAM芯片市场，已累计创造了超过1万亿美元产值。市场空间大，也意味着竞争的激烈。从美国、德国、日本、韩国、中国台湾地区，到现在的中国大陆，一直都不断有着新进入者。

近年来，中国对半导体的依赖也越来越大，2018年中国半导体产品进口金额达3120亿美元，其中DRAM等存储芯片约占39%。在DRAM产业，目前的中国企业还是一片空白。成立于2016年的长鑫存储，虽为DRAM行业的新进入者，但进展迅速，目前已建成第一座12英寸DRAM晶圆厂，不过其仍将面临三大挑战！

需求挑战

当下是大数据和人工智能的时代，全球存储芯片需求以风驰电掣般的速度增长。IHS预测，未来几年，服务器DRAM需求高速增长，智能手机DRAM需求将保持28%的增长率，整体DRAM供需将保持在20%左右。人工智能、5G应用落地带动DRAM需求进一步增长，将为新厂商提供商机。但新厂商将面临诸如成本、质量、市场接受度等挑战。

供给挑战

不是繁荣就是萧条，这是存储产业长久以来的景气循环。而造成这种大起大伏的周期波动，往往就来自于供给。DRAM市场的一个关键特性是目前只有三家主要的供应商——三星、SK海力士和美光。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据统计，2019年二季度前三大厂商合计占据DRAM 95.3%的市场份额。过高的市场集中度，使得行业龙头为了保证自己的领先优势，往往会对新进入者，使用毫不留情的杀价策略。凭借先发的技术和成本优势，再将价格杀到竞争对手成本线以下，那么新进入者又将如何盈利，甚至进行后续的技术研发投资？在这种情况下，中国DRAM企业的入局，能否改变这种局面，在未来市场上扮演重要的角色呢？

来源：中国闪存市场整理

技术挑战

当DRAM降价时，只要与使其降价的成本保持同步，就不算是什么坏事。只有在降价速度比成本更快，而且是连续降价的情况下，才会引发顾虑。在过去几十年来，DRAM产业一直在成长，而价格也一直在降低。只要价格下滑情况跟得上因技术进步带动成本降低的脚步，就能持续创造稳健的业绩。

目前，三星已宣布成功开发第三代1znm 8Gb DDR4 DRAM，美光也完成第三代1znm 16Gb DDR4 DRAM开发。SK海力士DRAM将由10nm级第一代1xnm向第二代1ynm技术过渡，并开始在下半年销售PC市场所需的10nm级第二代1ynm DRAM。

成立于2016年的长鑫存储，技术来源于奇梦达，并结合长鑫自主技术团队的研发，长鑫存储目前已经有1000多件DRAM相关技术，并同时与设备光刻机大厂ASML合作，进行前期研发。早在今年5月曾有消息称，合肥长鑫仅花了14个月即完成晶圆厂房（第一座12英寸DRAM制造厂），并已经生产1.5万片测试晶圆。另据业界消息称，合肥长鑫8Gb LPDDR4已正式投片。

相信业界除了对这位DRAM新进入者的好奇，也想了解其对未来技术发展的见解及准备。在9月19日，中国闪存市场峰会CFMS2019上，长鑫存储未来技术评估实验室副总裁平尔萱将带来《DRAM技术趋势与行业应用》的精彩演讲，敬请期待！