9月14日，存储产业盛事2021中国闪存市场峰会（CFMS2021）圆满落幕。作为全球领先的NAND闪存厂商，铠侠在由东芝存储器改名后首次以铠侠的名义参加了CFMS2021，并携旗下多款企业级、数据中心、消费级领域领先的SSD产品亮相。铠侠电子（中国）董事长兼总裁岡本成之先生表示，“铠侠将继续为中国市场提供高效能、高品质NAND Flash和SSD产品，希望继续得到各位的大力支持。”

由于疫情的关系，铠侠技术执行官柳茂知通过在线视频的方式，发表了题为《引领存储技术创新，赋能数据中心发展》的精彩主题演讲，还介绍了目前铠侠的产能分布。对于闪存技术发展，铠侠认为，因为晶圆厂生产时间是和存储阵列的厚度同比例增长的，单纯的增加层数并不能降低生产成本。

全球NAND Flash市场占有率排名第二的铠侠仍在积极扩产，明年春天将有新工厂完工

根据闪存市场ChinaFlashMarket数据，今年上半年，铠侠约占全球NAND Flash市场份额19%，排名第二。根据柳茂知介绍，铠侠闪存芯片的生产基地主要集中在四日市和岩手县北上市。

其中，目前四日市拥有Fab N-Y2, Y3, Y4, Y5, Y6五栋无尘厂房，而Fab Y7已经于今年春天开始投建，预计明年春天建成；而岩手县北上市的K1厂房明显比四日市厂房要大，铠侠也已经将K1栋旁边用来新建K2厂房的土地购买完成。

柳茂知：堆叠层数并不是3D闪存容量最关键的参数，铠侠致力提升平面存储密度

自NAND Flash由二维平面转向三维立体结构以来，堆叠层数的提升都是原厂竞相角逐的关键参数。自今年以来，美光、SK海力士、三星相继推出176层闪存产品，铠侠和西部数据也于今年二月份发布了162层3D NAND。

对于各厂商热衷的层数堆叠，柳茂知表示，“部分人可能认为堆叠层数是3D NAND容量增长的最重要参数，但是其实并不完全正确，没有必要以厚度增加为代价一味增加堆叠层数。因为晶圆厂生产时间是和存储阵列的厚度同比例增长的，单纯的增加层数并不能降低生产成本。”

因此，铠侠也十分注重平面密度提升，柳茂知介绍，“铠侠一直到BiCS 5闪存芯片都是采用CNA结构，即CMOS电路布置在存储阵列旁边，因为这种结构可以最大程度缩短生产时间，优化晶圆厂产出。”

但是在BiCS6 162层闪存芯片中，铠侠已经决定采用CUA结构，即CMOS电路配置在存储阵列下方，尽管芯片厚度会大于CAN结构，但是铠侠表示，从单片晶圆中产出的芯片数量的增加可以弥补生产时间变长的影响。

另外，柳茂知介绍，“铠侠为了增加平面密度，铠侠后续还将引入CBA结构，即CMOS／存储阵列键合，存储阵列和周边电路会分别生产。最终，将两片晶圆键合在一起以形成一个存储器芯片。PLC和Twin BiCS也是铠侠提升平面存储密度的重要途径。”

铠侠企业级SSD解决方案，PCIe Gen 5 SSD即将来临！

在企业级市场，铠侠已经有10多年历史，并在去年开始交付了第一个PCIe Gen4企业级SSD、第一个SAS 24G SSD、第一个EDSFF E3S和E1S SSD，今年也发布了低延迟SSD。

铠侠刚发布SCM SSD-FL6系列，基于自产的XL-Flash独特的闪存颗粒，支持双接口，在数据中心和企业级存储等应用中，实现超低延迟和高性能。FL6支持PCIe Gen4，容量从800GB到3.2TB，拥有超高的耐久性可达60 DWPD。铠侠即将向主要行业合作伙伴和客户提供FL6系列的样品。

另外，铠侠即将推出支持PCIe Gen5及EDSEF E3.S接口的企业级SSD—CD7系列，将于今年第四季度推向市场。同时还预告了CM6的下一代产品，此产品支持PCIe Gen5，并提供E3.S和2.5英寸两种接口产品，容量为1.6TB至30TB，预计明年夏季量产。

在铠侠擅长的企业级SAS SSD领域，PM6是首款SAS 24G SSD，能与现有SAS平台保持兼容。

柳茂知介绍，“当前，我们正处于PCIe变革时期，CD7可供选择容量从960GB到15TB，并且，即使控制器从16通道变为8通道，但CD7所有的写性能指标都优于CD6。”