如何释放存储潜力,英特尔NAND技术有何创新?
峰会新闻 2021-09-22 17:38 CFMS
在过去的20多个月中,新冠疫情的大规模爆发大大加速了全球的数字化进程,存储行业面临巨大行业机遇的同时也带来更多挑战,需要存储企业进行更多的技术与应用创新。
在刚刚落幕的2021中国闪存市场峰会(CFMS2021)中,英特尔NPSG亚太区销售总监倪锦峰发表了题为《英特尔推动NAND技术创新,释放存储潜力》的主题演讲。
数据爆发时代,数据的规模与形态变革推动存储企业加速创新
在数字社会时代,数据像石油一样成为未来社会的宝贵资源和发展源泉,市调机构显示,到2025年全球的数据量会增长到175个ZB,除了规模增长之外,数据的形态和处理方式都在发生着变化。
倪锦峰表示,“数据形态日趋多样,实时处理需求也在不断增加,所有的变革都在促进整个存储行业在技术、架构、方案方面加速创新。”
在半导体领域,摩尔定律一直引领着行业朝着容量密度更高、成本更低的方向发展,3D NAND的研发也使摩尔定律在NAND Flash领域得以延续。倪锦峰举例称,“英特尔于2016年发布了第一代32层3D NAND,到2020年发布144层3D NAND,结合QLC等技术,4年时间内我们容量密度实现了5倍多的提升。”
然而,3D NAND的堆叠层数不可能每次都翻倍或者以固定比例增加,因为层数叠高到一定程度之后,对工艺的要求就越高,对fab工厂的生产周期也带来巨大挑战。因此,倪锦峰表示,“企业需要从不同的维度寻求容量密度提升,QLC相对于TLC来说拥有更好的容量密度和更低的成本,而英特尔的QLC技术在企业级行业中已经得到了广泛的应用,并且,英特尔技术也使PLC技术更易实现。”
英特尔技术创新推动TCO、性能进一步优化
在NAND领域,英特尔有30多年的技术历史,倪锦峰介绍,“英特尔除了在NAND层面创新之外,在接口及其他方面也有诸多创新,例如,BBD(Block By Deck)以解决由于层数堆叠带来的性能挑战。”
倪锦峰称,“IMPRO是另一个技术创新,它可以在独立的情况下接收和处理读命令,使得随机读性能可以翻倍。”
在SSD领域,英特尔也与合作伙伴一起加速推动向PCIe 4的切换。另外,EDSFF接口有不同形式,其中,E1.s拥有良好的特性以及良好的热插拔以及性能,比较适合于服务器的应用;E1.L更适合于大容量存储、高密度存储,两者在不同领域各有优势。倪锦峰在演讲现场实物展示了E1.L和传统U.2两种方案。
在后续PCIe Gen5接口演进上,英特尔也与合作伙伴加速创新,推动E1.L、E1.s、E3.L、E3.s等加速普及,并做好U.2向这些创新接口演进过程中的成本控制;此外,也大力推动行业软件架构和应用设计的演进,以更好享受PCIe Gen5带来的红利。
英特尔中国布局:配备完善的前端研发、生产与后端销售服务团队
中国作为存储设备消耗大国,是各大厂商重点布局的重要市场。倪锦峰表示,“英特尔NAND产品和解决方案事业部在中国有广泛的布局,我们有大连工厂,包括前端与后端相关研发和工厂支持。在SSD产品和解决方案开发上,国内有销售团队和技术支持团队等。”
英特尔大连工厂于2015年10月份正式转型成NAND Flash制造基地,到2016年7月份正式投产,二期工厂也于2019年正式投产,主要量产96层及144层3D NAND闪存芯片。
英特尔144层3D NAND于2020年大规模量产,并发布了包括D7-P5510、D5-P5316以及D3-S4520在内的企业级SSD,最大容量可以达到32TB。
数据井喷时代,为了追赶时代洪流的发展脚步,存储厂商已经不再局限于存储设备的生产与加工,与产业链上下游协同合作变的愈发重要。英特尔在企业级、数据中心领域深耕多年,对数字时代下的存储架构以及平台发展都有更深的见解,英特尔在此次峰会中的演讲,相信也会引起业内人士的共鸣!