在过去的20多个月中，新冠疫情的大规模爆发大大加速了全球的数字化进程，存储行业面临巨大行业机遇的同时也带来更多挑战，需要存储企业进行更多的技术与应用创新。

在刚刚落幕的2021中国闪存市场峰会（CFMS2021）中，英特尔NPSG亚太区销售总监倪锦峰发表了题为《英特尔推动NAND技术创新，释放存储潜力》的主题演讲。

数据爆发时代，数据的规模与形态变革推动存储企业加速创新

在数字社会时代，数据像石油一样成为未来社会的宝贵资源和发展源泉，市调机构显示，到2025年全球的数据量会增长到175个ZB，除了规模增长之外，数据的形态和处理方式都在发生着变化。

倪锦峰表示，“数据形态日趋多样，实时处理需求也在不断增加，所有的变革都在促进整个存储行业在技术、架构、方案方面加速创新。”

在半导体领域，摩尔定律一直引领着行业朝着容量密度更高、成本更低的方向发展，3D NAND的研发也使摩尔定律在NAND Flash领域得以延续。倪锦峰举例称，“英特尔于2016年发布了第一代32层3D NAND，到2020年发布144层3D NAND，结合QLC等技术，4年时间内我们容量密度实现了5倍多的提升。”

然而，3D NAND的堆叠层数不可能每次都翻倍或者以固定比例增加，因为层数叠高到一定程度之后，对工艺的要求就越高，对fab工厂的生产周期也带来巨大挑战。因此，倪锦峰表示，“企业需要从不同的维度寻求容量密度提升，QLC相对于TLC来说拥有更好的容量密度和更低的成本，而英特尔的QLC技术在企业级行业中已经得到了广泛的应用，并且，英特尔技术也使PLC技术更易实现。”

英特尔技术创新推动TCO、性能进一步优化

在NAND领域，英特尔有30多年的技术历史，倪锦峰介绍，“英特尔除了在NAND层面创新之外，在接口及其他方面也有诸多创新，例如，BBD（Block By Deck）以解决由于层数堆叠带来的性能挑战。”

倪锦峰称，“IMPRO是另一个技术创新，它可以在独立的情况下接收和处理读命令，使得随机读性能可以翻倍。”

在SSD领域，英特尔也与合作伙伴一起加速推动向PCIe 4的切换。另外，EDSFF接口有不同形式，其中，E1.s拥有良好的特性以及良好的热插拔以及性能，比较适合于服务器的应用；E1.L更适合于大容量存储、高密度存储，两者在不同领域各有优势。倪锦峰在演讲现场实物展示了E1.L和传统U.2两种方案。

在后续PCIe Gen5接口演进上，英特尔也与合作伙伴加速创新，推动E1.L、E1.s、E3.L、E3.s等加速普及，并做好U.2向这些创新接口演进过程中的成本控制；此外，也大力推动行业软件架构和应用设计的演进，以更好享受PCIe Gen5带来的红利。

英特尔中国布局：配备完善的前端研发、生产与后端销售服务团队

中国作为存储设备消耗大国，是各大厂商重点布局的重要市场。倪锦峰表示，“英特尔NAND产品和解决方案事业部在中国有广泛的布局，我们有大连工厂，包括前端与后端相关研发和工厂支持。在SSD产品和解决方案开发上，国内有销售团队和技术支持团队等。”

英特尔大连工厂于2015年10月份正式转型成NAND Flash制造基地，到2016年7月份正式投产，二期工厂也于2019年正式投产，主要量产96层及144层3D NAND闪存芯片。

英特尔144层3D NAND于2020年大规模量产，并发布了包括D7-P5510、D5-P5316以及D3-S4520在内的企业级SSD，最大容量可以达到32TB。

数据井喷时代，为了追赶时代洪流的发展脚步，存储厂商已经不再局限于存储设备的生产与加工，与产业链上下游协同合作变的愈发重要。英特尔在企业级、数据中心领域深耕多年，对数字时代下的存储架构以及平台发展都有更深的见解，英特尔在此次峰会中的演讲，相信也会引起业内人士的共鸣！