在存储这个千亿美元市场上，中国市场的重要性显著，根据闪存市场ChinaFlashMarket数据，中国市场的DRAM和NAND Flash销售规模占据全球30%以上的市场份额，其中部分国际原厂在中国区的销售占比更是高达35%以上。

面对如此广阔的市场前景加上近年来国内加大对卡脖子技术的政策支持，近年来吸引了一批具有丰富的管理、研发经验和具有国际视野的专业人才，并涌现了一大批优秀的新兴存储企业。

宏芯宇就是其中的一份子，公司目前的核心产品为嵌入式存储器、移动存储器、集成电路主控制器，可广泛应用于消费类电子、工业类电子、物联网、云计算、移动应用以及人工智能等领域。在CFMS2021中，宏芯宇展出了旗下全系列产品。

固态硬盘系列：

宏芯宇固态硬盘产品目前提供的方案包含 2.5”、 mSATA、M.2 2280/ 2242、PSSD等各种形式。支持SATA、PCIe 以及以PSSD型式发展的 Combo 介面。另外，公司全系列产品支持长江存储、SK海力士、铠侠、美光等国际知名大厂闪存颗粒。

宏芯宇同时提供高效能的主控元件，读速高达7200 MB/s，写速高达6850 MB/s，实现了更快的加载速度、更低的功耗以及强容错应用，还可实现无忧升级。面对国产化的趋势，宏芯宇亦可同步发挥本土优势，加速各国产化平台认证导入，为客户做出更具竞争力的产品。

嵌入式存储：

宏芯宇eMMC产品目前主要有两大系列，其中一款是国内首款全国产化eMMC系列，一个是主打高读写性能的旗舰级系列。两个系列均采用最新的eMMC 5.1版本协议，目前已被广泛应用于手机、电视、平板电脑、车载后装系统、广告机等应用领域。

全国产化系列搭载自主可控主控和国产 NAND Flash，是国内首家实现集主控、NAND Flash、固件研发设计、封装测试均国产化的厂商。旗舰系列采用性能更高的主控和算法，搭载先进3D MLC 或 3D TLC NAND Flash，能够为客户提供更加极致的性能体验。

UFD闪存盘系列：

HG2319是一颗采用40nm制程工艺的USB 3.2 Gen1x1的闪存盘主控芯片，HG2309为USB2.0 闪存盘主控芯片，两款主控其错误更正码 (Error correcting code, ECC)的引擎采用到 BCH 90bit，相比同业采用的72bit更加强化存储容错率，等同于增加闪存盘产品稳定性与寿命。

通过领先的研发技术、HG2319 目前是同类产品中最小面积的设计。由于软件自主开发，包括工厂量产治具、客制化加密功能都可依客户需求量身订做、实现深化服务、增加客户端使用黏性。

另外，两款产品均可支持最新的3D NAND Flash以及QLC制程的闪存芯片，包括长江存储、SK海力士、西部数据等全球大厂主流的Nand芯片，大幅提升了产品的生产弹性。

存储卡NM Card：

宏芯宇（HOSINGLOBAL) 品牌已获得华为专利授权，全球可售。目前支持 64GB/128GB/256GB 三种容量，顺序读取速率可达90MB/s，顺序写入速率达80MB/s。广泛适用于华为（HUAWEI)、荣耀（HONOR) 等多种机型。

Micro SD / SD:

宏芯宇是SD协会会员，所生产销售的Micro SD/SD卡均合SD协会标准，规格可到 SD6.0，容量 2GB-1TB，速度等级有 Class 10、UHS-I、UHS-II、U1、U3、A1、A2、V30、V60、V90 等标准。可为行业和品牌客户提供全方位 OEM/ODM定制化服务。

DRAM / DRAM Module:

宏芯宇DRAM目前已有TV/STB/OTT/GPON/EPON以及平板相关的消费类电子产品上的运用，产品规格都是 JEDEC 的规范，pin to pin 完全兼容，未来将带来更低的功耗和更快的数据读取速度，以满足消费者对于电子产品类人工智能(AI)和5G功能日益增长的需求。

宏芯宇的DRAM module将是搭配SSD相关客户做结合推广，主要服务台式机及笔记本电脑，客户能一次购足存储产品，另外产业也涵盖安防及企业级云端客户使用。

低功耗双倍数据速率内存：

宏芯宇LPDDR产品提供从高性能到高性价比的RAM解决方案。宏芯宇LPDDR4芯片提供了 3200Mbps的数据速率，同时，更低的功耗和更高的频率，让设备运行更加顺畅。目前已经广泛应用于手机平板等消费性产品市场。